純度遠高於(yu) 優(you) 級純的試劑叫做高純試劑。是在通用試劑基礎上發展起來的，是為(wei) 了專(zhuan) 門的使用目的而用特殊方法生產(chan) 的純度最高的試劑。高純試劑控製的是雜質項含量，基準試劑控製的是主含量，基準試劑可用標準溶液的配製，但高純試劑不能用於(yu) 標準溶液的配製（單質氧化物除外）。

目前在國際上也無統一的明確規格，我國除對少數產(chan) 品製定了國家標準外，大部分高純試劑的質量標準還很不統一，在名稱上也有高純、超純、特純、光譜純、電子純等不同叫法。一般以9來表示產(chan) 品的純度。故在規格欄中標以2個(ge) 9、3個(ge) 9、4個(ge) 9以此類推，根據這個(ge) 原則可將高純物質分為(wei) ：

雜質總含量不大於(yu) 1.5×10-2%，其純度為(wei) 3.5個(ge) 9（99.95）簡寫(xie) 為(wei) 3.5N

雜質總含量不大於(yu) 1.0×10-2%，其純度為(wei) 4個(ge) 9（99.99）簡寫(xie) 為(wei) 4.0N

雜質總含量不大於(yu) 1.0×10-3%，其純度為(wei) 5個(ge) 9（99.999）簡寫(xie) 為(wei) 5N

對高純試劑或高純元素純度或雜質含量的檢驗，一般常用原子吸收光譜、原子發射光譜、色譜、質譜比色化學分析等方法進行測定。其陰離子規格原則上參照試劑優(you) 級標準，沒有優(you) 級標準的產(chan) 品由生產(chan) 單位自行製定。根據用途不同，把高純試劑又分成幾大類：

普通離純試劑

是指一些高純單質金屬、氧化物、金屬鹽類等，常用於(yu) 原子能工業(ye) 材料、電子工業(ye) 材料、半導體(ti) 基礎材料等，金屬單質的氧化物、用來配製標準溶液和作為(wei) 標準物質，該類試劑常要求含量在4N-6N之間。

超淨電子純試劑

超淨高純試劑是集成電路（IC）製造工藝中的專(zhuan) 用化學品，用於(yu) 矽片清洗、光刻、腐蝕工序中。對這種高純試劑中可溶性雜質和固態微粒要求非常嚴(yan) 格，為(wei) 適應IC集成度不斷提高的需求，國際上半導體(ti) 工業(ye) 協會(hui) （SemiconductorIndustryAssociation）近來推出Semic7(適合0.8-1.2微米工藝技術)和Semic8(適合於(yu) 0.2-0.6微米工藝技術)級別的試劑質量標準。我國在原有MOS級、BV-I級試劑的基礎上，又製定出BV-II級和BV-III級試劑標準（相當於(yu) Semic7）。我研究所也研製多種MOS級、BV-I級BV-II級和部分BV-III級試劑，其顆粒度（0.5微粒顆粒）≤25-100個(ge) ∕ml，金屬雜質總量≤10-3—10-5﹪

光刻膠高純試劑

光刻工藝是一種表麵加工技術，在半導體(ti) 電子器件和集成電路製造中占有重要地位。為(wei) 在表麵實現選擇性腐蝕，采用一類具有抗蝕作用的感光樹脂材料作為(wei) 抗蝕塗層，稱為(wei) 抗蝕劑，國內(nei) 通稱光刻膠。按照溶解度的不同而將光刻膠分為(wei) “正性"光刻膠和“負性"光刻膠，按所用曝光光源和輻射光源的不同，又可將其分為(wei) 紫外、遠紫外、電子束、X射線等光刻膠。

光刻膠是微細圖形加工的一種關(guan) 鍵試劑，要求水分低、金屬雜質含量低（≤10-6）

磨拋光高純試劑

是指用於(yu) 矽單晶片表麵的研磨和拋光的高純度試劑。它又分磨粉（三氧化二鋁）和磨液（水和油劑），能研磨表麵達到微米級加工精度。這類試劑要求顆粒粒度小（納米），純度高，金屬雜質一般要求2.0×10-4—5×10-5﹪

液晶高純試劑

液晶是一類電子化學材料，是指在一定溫度範圍內(nei) 呈現介於(yu) 固相和液相之間的中間相的有機物。它既有液態的流動性也有晶態的各向異性，有時人稱他為(wei) 第四態。

液晶種類繁多，用途廣，前景最大的要屬TN(低檔)、STN（中高檔）、TFT（高檔）型。TN、STN及TFT三種型號所組成的單體(ti) 液晶，主要包括芳香酯類、聯/苯類、苯基環已烷類、鐵電類以及含氟液晶品等五種，它們(men) 是當今及今後使用及發展的主要對象。這類高純試劑要求含量高（≥99﹪），水分含量低（≤10-6），金屬雜質含量少（≤10-6）。